Growth of InAsSb and GaAsSb Nanowires
(2018) PHYM01 20181Solid State Physics
Department of Physics
- Abstract (Swedish)
- Att kunna ändra egenskaperna hos nanotrådar till specifika applikationer är viktigt om nanotrådar ska kunna inkorporeras i elektronikindustrin. Bandgapet är en sådan egenskap som för ternära III-V halvledare kan ändras om "ordning" uppstår i materialet. Med ordning menas här att de ingående komponenterna spontant lägger sig periodiskt längs med en kristallografisk riktning. Ett steg mot att uppnå ordning är att få nanotrådarna att växa i den kristallografiska riktningen 001, som har setts vara fördelaktig för ordning.
I det här projektet har förmågan av InAsSb och GaAsSb nanotrådar att växa i 001 på InAs (001) respektive GaAs (001) substrat, utforskats. Nanotrådarna har växts från Au, AgAu och Ag partiklar med det slutgiltiga målet att... (More) - Att kunna ändra egenskaperna hos nanotrådar till specifika applikationer är viktigt om nanotrådar ska kunna inkorporeras i elektronikindustrin. Bandgapet är en sådan egenskap som för ternära III-V halvledare kan ändras om "ordning" uppstår i materialet. Med ordning menas här att de ingående komponenterna spontant lägger sig periodiskt längs med en kristallografisk riktning. Ett steg mot att uppnå ordning är att få nanotrådarna att växa i den kristallografiska riktningen 001, som har setts vara fördelaktig för ordning.
I det här projektet har förmågan av InAsSb och GaAsSb nanotrådar att växa i 001 på InAs (001) respektive GaAs (001) substrat, utforskats. Nanotrådarna har växts från Au, AgAu och Ag partiklar med det slutgiltiga målet att uppnå ordning. Transmissionselektronmikroskopi har använts för att bestämma kristallstruktur, växtriktning och för att se om någon ordning har uppstått i de färdiga trådarna. Vertikal växt uppnåddes för InAsSb trådar från både Au och AgAu partiklar, men ordning observerades inte. (Less) - Abstract
- The ability to tailor the properties of nanowires exactly to fit a specific application is important if nanowires are to be useful and incorporated into the electronics industry. The bandgap is one such property, which, for ternary III-V semiconductors, can be altered by the presence of ordering. In this sense, ordering is referred to as a spontaneous modulation of the ingoing components along certain crystallographic directions. A step towards achieving ordering is to make nanowires to grow in the 001 direction, which has been shown to promote it. In this project, the possibility to grow InAsSb and GaAsSb nanowires in the 001 direction on InAs (001) and GaAs (001) substrates, respectively, is investigated. The nanowires are grown from Au,... (More)
- The ability to tailor the properties of nanowires exactly to fit a specific application is important if nanowires are to be useful and incorporated into the electronics industry. The bandgap is one such property, which, for ternary III-V semiconductors, can be altered by the presence of ordering. In this sense, ordering is referred to as a spontaneous modulation of the ingoing components along certain crystallographic directions. A step towards achieving ordering is to make nanowires to grow in the 001 direction, which has been shown to promote it. In this project, the possibility to grow InAsSb and GaAsSb nanowires in the 001 direction on InAs (001) and GaAs (001) substrates, respectively, is investigated. The nanowires are grown from Au, AgAu and Ag particles with the final goal of achieving ordering. Transmission electron microscopy is used to determine the
crystal structure, growth direction and presence of ordering in the final nanowires. Ultimately, growth of Au and AgAu seeded InAsSb wires in the 001 direction was achieved, but no ordering was observed. (Less) - Popular Abstract (Swedish)
- Alla elektroniska prylar i vår vardag fungerar tack vare att man använder halvledarmaterial. Länge har man kunnat göra halvledarkomponenterna mindre och mindre, vilket i sin tur har gjort datorer mindre och effektivare. Snart kan man dock inte fortsätta göra saker mindre, så därför behövs andra tillvägagångssätt. En lösning är att bygga på höjden i så kallade nanotrådar. Nanotrådar är små och avlånga kristaller som kan användas i elektriska och optiska komponenter. I labbet kan man med specifika metoder växa trådarna, ungefär som plantor, men man måste välja olika parametrar rätt för att det ska bli bra. I det här projektet har viktiga steg mot integrationen av nanotrådar i olika applikationer tagits.
Please use this url to cite or link to this publication:
http://lup.lub.lu.se/student-papers/record/8958038
- author
- Sjökvist, Robin LU
- supervisor
- organization
- alternative title
- Växt av InAsSb och GaAsSb Nanotrådar
- course
- PHYM01 20181
- year
- 2018
- type
- H2 - Master's Degree (Two Years)
- subject
- keywords
- Nanowire, Crystal Growth, Growth, MOVPE, TEM, SEM, Semiconductor, Materials Science, Physics
- language
- English
- id
- 8958038
- date added to LUP
- 2018-09-10 08:45:38
- date last changed
- 2018-09-10 08:45:38
@misc{8958038,
abstract = {{The ability to tailor the properties of nanowires exactly to fit a specific application is important if nanowires are to be useful and incorporated into the electronics industry. The bandgap is one such property, which, for ternary III-V semiconductors, can be altered by the presence of ordering. In this sense, ordering is referred to as a spontaneous modulation of the ingoing components along certain crystallographic directions. A step towards achieving ordering is to make nanowires to grow in the 001 direction, which has been shown to promote it. In this project, the possibility to grow InAsSb and GaAsSb nanowires in the 001 direction on InAs (001) and GaAs (001) substrates, respectively, is investigated. The nanowires are grown from Au, AgAu and Ag particles with the final goal of achieving ordering. Transmission electron microscopy is used to determine the
crystal structure, growth direction and presence of ordering in the final nanowires. Ultimately, growth of Au and AgAu seeded InAsSb wires in the 001 direction was achieved, but no ordering was observed.}},
author = {{Sjökvist, Robin}},
language = {{eng}},
note = {{Student Paper}},
title = {{Growth of InAsSb and GaAsSb Nanowires}},
year = {{2018}},
}